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2.
介电陶瓷:
介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支,主要用在制作电容器,山东压电陶瓷,传统的电容器包括了温度补偿型,高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化,因此将多层的电容做积层的串连,成为积层电容器,大量的以SMT(表面黏着技术)使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件,则运用在大哥大电话,位星通讯等高频通讯的领域,在讲究个人通讯的今日,有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化,利用其高介电性,可以应用在高容量DRAM(动态随机记体)的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM,具有极高的商业潜力,利用自发性极化,可以作为非挥发性记忆体,未来可能取代硬碟,成为大容量IC
无铅压电陶瓷这一突破性的
进展,掀起了持续至今的无铅压电陶瓷研究热潮,极大地促进了无铅压电陶瓷的研究和开发.迄今为止,可被考虑的无铅压电陶瓷体系主要有以下5类:(Bi0.5Na0.5)TiO3(缩写为BNT)基无铅压电陶瓷;K1-xNaxNbO3(缩写为KNN)基无铅压电陶瓷;铋层状结构无铅压电陶瓷;钨青铜结构无铅压电陶瓷;BaTiO3基无铅压电陶瓷.本文结合无铅压电陶瓷研究和开发的近期进展,综合评述了无铅压电陶瓷的研究思路、研究现状以及发展趋势,着重讨论了BNT基及KNN基无铅压电陶瓷的体系构建、改性手段、相变特性及温度稳定性,并就无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出了一些建议.
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