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淄博宇海电子陶瓷有限公司

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玉溪山东压电陶瓷

询盘留言|投诉|申领|删除 产品编号:598053298                    更新时间:2025-06-02
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近年来,无铅压电陶瓷新体系的构建、压电铁电性能的强化以及相变机制的研究取得了长足的进步,这为无铅压电陶瓷的实用化奠定了实践和理论基础.对于BNT基及KNN基陶瓷来说,经过细致的组分筛选,可以获得退极化温度高、压电性能优良且温度稳定性好的陶瓷配方,以用于制作换能器、传感器等器件.表9列出了部分无铅压电陶瓷器件.由表9可知,选取合适的材料参数,山东压电陶瓷,可以获得性能良好的无铅器件;部分无铅压电陶瓷器件具有可比拟于铅基器件的性能,在一些中低端领域有潜在的实用性.7 研究展望近年来,无铅压电陶瓷的研究和开发取得了长足进步,获得了一些性能良好的无铅压电陶瓷体系,部分配方在某些领域具有了一定的实用化前景.相

比于铅基PZT陶瓷,无铅压电陶瓷在晶体结构、电子

结构以及相变特性等方面具有自身的特点.

氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知,氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径,是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N,而在La,Nb等施主掺杂改性后,其d33升高至274~710pC/N,从而满足实际应用的要求.类似地,氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出,类似于氧化物改性的PZT陶瓷,受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm,压电性能略为降低;与Co稍有不同,Mn掺杂使Qm提高,也改善了压电性能,这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.

当压电材料—定时,谐振频率与h成正比,与(D/2)2成反比。谐振频率fo与复合振动片的直径D呈指数关系。显然D愈大,低频特性愈好。压电陶瓷片作传声器使用时,工作频率约为300Hz~5kHz。压电陶瓷片的阻抗Z取决于d/D之比,阻抗随d/D比值的增大而降低。

当压电材料—定时,谐振频率与h成正比,与(D/2)2成反比。谐振频率fo与复合振动片的直径D呈指数关系。显然D愈大,低频特性愈好。压电陶瓷片作传声器使用时,工作频率约为300Hz~5kHz。压电陶瓷片的阻抗Z取决于d/D之比,阻抗随d/D比值的增大而降低。

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