莆田压电陶瓷条价格低-宇海电子

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介电陶瓷：

介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支，主要用在制作电容器，传统的电容器包括了温度补偿型，高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化，压电陶瓷条价格低，因此将多层的电容做积层的串连，成为积层电容器，大量的以SMT（表面黏着技术）使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件，则运用在大哥大电话，位星通讯等高频通讯的领域，在讲究个人通讯的今日，有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化，利用其高介电性，可以应用在高容量DRAM（动态随机记体）的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM，具有极高的商业潜力，利用自发性极化，可以作为非挥发性记忆体，未来可能取代硬碟，成为大容量IC

记忆体的新宠儿。

现代声纳根据海区声速--深度变化形成的传播条件，可适当选择基阵工作深度和俯仰角，利用声波的不同传播途径(直达声、海底反射声、会聚区、深海声道)来克服水声传播条件的不利影响，提高声纳探测距离。又如，运载平台的自噪声主要与航速有关，航速越大自噪声越大，声纳作用距离就越近，反之则越远；目标反射本领越大，被对方主动声纳发现的距离就越远；目标辐射噪声强度越大，被对方被动声纳发现的距离就越远。

氧化物掺杂改性 从铅基陶瓷发展历程可知，氧化物掺杂改性是提高PZT陶瓷电学性能的必要途径，是PZT陶瓷实用化的关键和基础.如未掺杂的准同型相界(MPB)组成的Pb(Ti0.48Zr0.52)O3陶瓷d33仅为223pC/N，而在La，Nb等施主掺杂改性后，其d33升高至274~710pC/N，从而满足实际应用的要求.类似地，氧化物掺杂改性对BNT基陶瓷压电铁电性能的影响也被广泛研究.表4列出了氧化物掺杂改性的BNT基陶瓷的压电性能.从表4可以看出，类似于氧化物改性的PZT陶瓷，受主和施主离子掺杂改性将导致BNT基陶瓷压电性质的/硬化0和/软化0.Mn和Co一般显示出受主掺杂效应.Co掺杂提高了机械品质因数Qm，压电性能略为降低;与Co稍有不同，Mn掺杂使Qm提高，也改善了压电性能，这可能是由于陶瓷致密度的改善和Mn元素本身的多价态特性.

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