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压电复合材料一般是由压电陶瓷和高分子聚合物{或其它材料}复合而成的。通过改变复合材料中各组元所占的体积或重量百分比，各组元自身在三维空间里相互的联结方法，各组元的内部结构及其其在空间配置上的对称性可大幅度地调整复合材料的某些物理性质。因此可根据实际需要设计压电复合材料，制造性能较好的压电换能器。例如锆钛酸铅压电陶瓷和高分子聚合物的1-3复合材料，其等静压压电应变常数dh{=d33+2d31}比锆钛酸铅压电陶瓷的dh值大的多，山东压电陶瓷，而且其电容率也有较大的下降。

为了适应各种不同的用途和要求，国内外对PZT陶瓷进行了广泛的掺杂改性研究.PZT压电陶瓷的掺杂改性主要有以下几个方面:

.1　软性掺杂　这种掺杂是指La3+、Bi3+、Nb5+、W6+等离子分别置换Pb2+或(Zr，Ti)4+等离子，在晶格中形成一定量的正离子缺位(主要是A位)，由此导致晶粒内畴壁容易移动，结果使矫顽场降低，使陶瓷的极化变得容易，因而相应地提高了压电性能.但空位的存在增加了陶瓷内部的弹性波的衰减，引起机械品质因数Qm和电气品质因数Qe的降低，压电陶瓷工厂，但其介电损耗增大，因而这类掺杂的PZT压电陶瓷通常称为“软性”PZT压电陶瓷，适于制备高灵敏度

.2　硬性掺杂　这类掺杂与离子软性掺杂的作用相反:离子置换后在晶格中形成一定量的负离子(氧位)缺位，因而导致晶胞收缩，抑制畴壁运动，降低离子扩散速度，矫顽电场增加，从而使极化变得很困难，压电性能降低，Qm和Qe变大，批量定制压电陶瓷，介电损耗减少.具有这类掺杂物的PZT压电陶瓷称为“硬性”PZT压电陶瓷，临沂压电陶瓷，的传感器元件.这类掺杂报道较多的是La3+和Nb5+[

通过研究，降结温度的主要方法有:(1)改善粉体形貌，表面能和烧结活性，有利于烧结过程的进行.研究表明[14]PbO挥发温度为924.71℃，颗粒之间的反应温度为811.26℃;而固相合成的1243.47℃，PbO的挥发温度为1213.29℃.因此采取有效的合成方法，PbO挥发温度以下，铅可完全挥发.(2).，PZT陶瓷粉体时掺加微量的Fe2+，Bi3+，Cu2+等离子，

)O3]，可以实现在空气中850℃BCW[Ba(CuW完成绕结，比不加烧结助剂的粉体的烧结温

度降低250℃左右，比一般固相法制备的PZT粉体的烧结温度1250℃降低400℃左右.(3)热压烧结.清华大学的李龙土及同事在PZT基压电陶瓷原料中加入由xBO1.5-yBiO1.5-zCdO组成的玻璃料可使其烧结温度得到较大程度的降低，其压电性和介电性都得到了改善[17].

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